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四氯化硅 純度6N/8N/10N
中文名：四氯化硅更多 +
英文名：silicon tetrachloride
化學式：SiCl4
純度：99.9999%（6N），99.999999(8N)
99.99999999（10N）
包裝：20T標準集裝箱罐
275Kg包裝罐，100Kg 包裝罐
各種純度，各種規格均有售，咨詢客服吧！
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四氯化硅產業：市場前景看好
四氯化硅是硅合成和多晶硅生產的重要原料，具有廣泛應用前景和良好市場發展趨勢。光伏產業的快速發展推動了四氯化硅需求的增加，而工業硅作為其重要原料之一，也在產能和產量上持續增長。武漢紐瑞德特種氣體專業提供四氯化硅等氣體產品，為相關產業提供保障。更多 +
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硅烷VS四氯化硅：有機與無機的博弈
硅烷和四氯化硅都是含有硅的化合物，但是它們是不同的化合物，有著不同的用途和性質。本文探討了硅烷和四氯化硅之間的區別、用途、性質等方面，讓讀者更加了解這兩種化合物。更多 +
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四氯化硅和四氯化碳：性質與用途差異解析
四氯化硅和四氯化碳是兩種常見化合物，在化學性質和用途上存在一些相似之處，但也有一些顯著的差異。本文比較了它們的性質和應用，幫助讀者更全面了解這兩種化合物的異同，并了解它們在不同行業的具體用途。更多 +
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四氯化硅：未來光纖通信的關鍵之物
四氯化硅是一種獨特的化學物質，具有廣泛的應用前景。在半導體、光纖等領域，四氯化硅發揮著重要的作用，對高科技產業的發展具有重要意義。然而，其生產和使用需要注意安全和環境保護。通過加強技術研發、環境保護和國際合作，我們可以進一步挖掘四氯化硅的潛力，為未來的技術和工業發展創造更多的價值。更多 +
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氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關系。 顯示了兩個不同的增長區域。在低溫區域（區域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數關系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關系，表明它們受質量傳輸更多 +
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四氯化硅氫還原法制取高純硅的化學原理
工業粗硅氯化生產四氯化硅 目前，四氯化硅的工業處理工藝一般為直接氯化工藝，即工業粗硅在加熱條件下與氯直接反應生成四氯化硅。在工業上常用的不銹鋼（或石英）氯化爐中，硅鐵被裝入氯化爐。氯從氯化爐底部引入，當加熱到200~300℃時，反應開始產生SiCl4。化學反應如下： Si-2Cl2、SiCl4 生成的SiCl4以氣體狀態從熔爐上部轉移到電容器，以液體狀態冷卻，然后流入儲罐。 在生產中，氯化溫度一般控制在450～500℃，一方面可以提高生產率，另一方面可以保證質量。因為溫度低時反應速度慢，副產物S更多 +
