半導體工業中，高純（電子級）二氧化碳主要用于清洗技術和沉浸式光刻技術。隨著Fab廠制成

的清洗程序變多，未來中國高純（電子級）二氧化碳需求也將增大。芯片清洗，曾經只是簡單地

將芯片浸入清洗液中。但從FinFET開始，再到GAA結構，以及先進的DRAM和3D-NAND，清洗

技術已經進入到了第三個階段，現在正在成為半導體先進制程的最主要挑戰之一。高純（電子級）

二氧化碳，你能為半導體制造做什么？

超臨界二氧化碳清洗技術，用于清洗高深寬比的半導體集成電路的溝槽和微孔的清洗工藝，采

用超臨界二氧化碳脈沖，即在二氧化碳臨界點附近周期性地改變壓力，使二氧化碳在超臨界區

和亞臨界區周期性擺動，利用二氧化碳在臨界點附近微小的壓力改變即可產生較大密度變化的

性質，去除溝槽和微孔中的微粒。

超臨界清洗是用超臨界二氧化碳清洗半導體器件，該技術是可以將損壞降至最低的下一代技術。

氣體圈子的某位專家曾參與過我國超臨界二氧化碳清洗半導體設備的高壓釜的設計。根據目前

公開的二氧化碳超臨界流體半導體清洗技術專利，我國現有技術主要還是對硅片表面的微細結

構進行有效清洗，很少涉及半導體器件微觀結構的清洗技術。日本東電電子（TEL）在公開演

講中曾分享過半導體超臨界設備和圖案無塌陷干燥技術相關信息。

浸沒式光刻技術也稱為浸入式光刻技術。一般特指193nm浸入式光刻技術。通過在光刻機投影

物鏡最后一個透鏡下表面與硅片光刻膠之間充滿高折射率的液體(如去離子水)，進一步提高了

光刻分辨率,打破光源波長瓶頸。去離子水經過進一步去雜質、去氣泡、恒溫之后流入曝光頭，

填充在晶圓與透鏡之間，然后流出光刻機。高純二氧化碳用于保證液體不從側面泄露出去。

碳化硅和二氧化硅之間的界面質量會對碳化硅場效應晶體管的性能產生限制。西安交通大學和

西安電子科技大學的研究人員稱，這種不足可以通過超臨界二氧化碳處理來解決，超臨界二氧

化碳處理可以降低界面態密度。團隊的發言人告訴《化合物半導體》，在傳統的碳化硅場效應

晶體管中，界面不能通過高溫退火來優化，因為這會產生碳簇和其他缺陷。用較低溫度的超臨

界二氧化碳處理可消除這些缺陷的形成，該處理可保證較高的載流子遷移率，較低的泄漏電流

以及能提高柵極氧化物的臨界擊穿電場。

二氧化碳廠家武漢紐瑞德特種氣體供應高純二氧化碳氣體,4N/5N高純二氧化碳氣體，各種純度。

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