如今，硅烷已成為半導(dǎo)體微電子工藝中使用的最主要的特種氣體, 用于各種微電子薄膜制備, 包括單晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金屬硅化物等。硅烷的微電子應(yīng)用還在向縱深發(fā)展: 低溫外延、選擇外延、異質(zhì)外延。不僅用于硅器件和硅集成電路，也用于化合物半導(dǎo)體器件(砷化鎵、碳化硅等)。在超晶格量子阱材料制備中也有應(yīng)用。可以說現(xiàn)代幾乎所有先進的集成電路的生產(chǎn)線都需用到硅烷。硅烷的純度對器件性能和成品率關(guān)系極大，更高級的器件需要更高純度的硅烷(包括乙硅烷、丙硅烷)。

 

硅烷在使用中有哪些容易被大家忽略的安全風險呢？

 

硅烷雖然是一種燃燒范圍很廣的自燃氣體，但當把它釋放到空氣中時其實并不一定會立刻燃燒，有時候可能根本不燃燒。但這并不意味著硅烷是不易燃不易爆的安全氣體。

 

硅烷的燃燒最主要是跟其釋放方式以及周圍環(huán)境的變化有著非常大的關(guān)系。用水霧可以消減濃煙和粉塵，但一定要注意不要熄滅任何的硅烷引起的火焰。只能通過切斷硅烷泄漏源來滅火。如果在硅烷泄漏源被切斷之前熄滅了硅烷火焰，硅烷會聚集起來，從而導(dǎo)致爆炸。

 

硅烷的可燃極限是非常廣泛的，被稀釋后的硅烷會擴大可燃范圍，而不是縮小燃燒范圍。硅烷的可燃極限的下限是2%，當引入不同的稀釋劑時可燃范圍遠遠低于這個濃度。周圍環(huán)境的空氣溫度和濕度也對可燃極限有影響。目前有些公司使用的是氣柜來供應(yīng)硅烷，在氣柜開啟的瞬間由于大量氧氣涌入有很大幾率的爆炸風險。因此，國外很多在建立硅烷站時會采用氣架的方式單獨建站從而來降低爆炸風險。