硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進(jìn)后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應(yīng)后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復(fù)合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等

 

蝕刻是采用化學(xué)和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕刻和干法蝕刻。濕法蝕刻是利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行蝕刻。干法蝕刻利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),或通過轟擊等物理作用而達(dá)到蝕刻的目的。其主要介質(zhì)是氣體。干法蝕刻的優(yōu)點是各向異性(即垂直方向蝕刻速率遠(yuǎn)大于橫向速率)明顯、特征尺寸控制良好、化學(xué)品使用和處理費(fèi)用低、蝕刻速率高、均勻性好、良率高等。常用的干法刻蝕是等離子體蝕刻。

 

蝕刻氣體氣體工業(yè)名詞，蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜，金屬膜等蝕刻掉，而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來，這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是，圖形邊緣整齊，線條清晰，圖形變換差小，且對光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體，通常多為氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)，工藝控制精確，方便，無脫膠現(xiàn)象，無基片損傷和沾污，所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。