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: 蝕刻技術中特種氣體的作用

硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產物主要包括AlCl3等蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕
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: 六氟乙烷的制備方法

六氟乙烷又稱全氟乙烷，是乙烷中六個氫原子全部被氟原子取代后的產物，是鹵代烴（化學式：C2F6），亦是烴類化合物乙烷所對應的全氟化合物，是一種不易燃的氣體，難溶于水，微溶于醇。六氟乙烷常用于半導體的生產，主要用于一種具多功能的蝕刻技術，它可用于金屬硅化物及金屬氧化物并相對其金屬基質的選擇性蝕刻。叧外，它亦用于蝕刻硅上的二氧化硅。六氟乙烷還可連同三氟甲烷一起用于制冷劑R508A（六氟乙烷占61%）及R508B（六氟乙烷占54%）。六氟乙烷的制備方法主要有一下幾種：
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