-
二氧化硫怎樣與氫氧化鈉反應
二氧化硫與氫氧化鈉的反應 二氧化硫少量的情況，發生的化學反應方程式如下： SO?+2NaOH＝Na?SO?+H?O 當二氧化硫少量的時候，二氧化硫只和氫氧化鈉反應生成亞硫酸鈉。 工業生產氫氧化鈉的方法有苛化法和電解法兩種。苛化法按原料不同分為純堿苛化法和天然堿苛化法；電解法可分為隔膜電解法和離子交換膜法。 擴展資料 氫氧化鈉具有強堿性和有很強的吸濕性。易溶于水，溶解時放熱，水溶液呈堿性，有滑膩感；腐蝕性極強，對纖維、皮膚、玻璃、陶瓷等有腐蝕作用。與金屬鋁和鋅、非金屬硼和硅等反更多 +
-
標準氣體的穩定性與有效期
標準氣體的穩定性是制備和使用中的關鍵問題。理論上，充入高壓氣瓶的標準氣體的濃度值在儲存和使用過程中不得改變。然而，當標準氣體中的組分氣體或雜質接觸容器內壁時，往往會引起吸附、解吸、化學反應等現象，使其濃度值隨時間變化。濃度越低，組成越復雜，變化越大。因此，標準氣體的穩定性與容器材料的物理性質、容器內壁的預處理以及氣體本身的化學性質密切相關。 （1） 儲存容器的選擇和預處理 裝有標準氣體的容器必須由耐腐蝕、無銹蝕、吸附性低、化學性能穩定和機械強度高的材料制成。常用的高壓容器由錳鋼、鉻相鋼、鋁合金或不銹更多 +
-
氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關系。 顯示了兩個不同的增長區域。在低溫區域（區域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數關系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關系，表明它們受質量傳輸更多 +
-
氫燃料電池和普通電池有什么區別？
電池負極側的氫電極（燃料電極）進入氫氣，正極側的氧化電極（空氣或氧氣）進入空氣或氧氣。正負極之間沒有電解質，電解質將兩極分開。根據燃料電池類型，使用不同的電解質，包括酸、堿、熔鹽或固體電解質。在燃料電池中，燃料和氧化劑與催化劑反應，通過能量轉換過程中的電化學反應產生電能和水（H2O）。因此，不會排放氮氧化物（NOX）、碳氫化合物（HC）和其他污染大氣環境的氣體。 燃料電池與普通電池的區別在于： 1.燃料電池是一種能量轉換裝置，其在運行期間必須輸入能量（燃料）以產生電能。普通電池是一種儲能裝置。它必須更多 +
-
氫能是一次能源還是二次能源
氫能是一種二次能源。 氫能是氫和氧的化學反應釋放的化學能。它具有能量密度高、零污染、零碳排放等優點。被譽為21世紀的“終極能源”。 氫能是氫元素在物理和化學變化過程中釋放的能量。氫氣和氧氣可以通過燃燒產生熱能，也可以通過燃料電池轉化為電能。氫氣不僅來源廣泛，而且具有導熱性好、清潔無毒、單位質量熱量高等優點。由于質量相同，它所含熱量約為汽油的三倍，是石化工業的重要原料，也是航天火箭的能源燃料。隨著應對氣候變化和實現二氧化碳中和的需求不斷增長，氫能將改變人類能源系統。 氫能更多 +
-
氦氣在半導體制造中發揮著重要作用
氦是一種從天然氣收集器中獲得的惰性氣體，具有許多用于半導體制造的特性。由于氦是一種“惰性”氣體，它不會與其他元素發生反應，因此是制造半導體的理想選擇。半導體加工中的化學反應通常基于氣體或液體，因此在硅周圍使用惰性氣體可以防止不必要的反應。此外，由于氦的高導熱性，它可以有效地傳遞熱量，這有助于在制造過程中控制硅的溫度，并使半導體小型化成為可能。 半導體越來越多地應用于幾乎所有可能的應用中。例如，基于半導體的電動汽車零部件占汽車制造成本的35%。到2030年，隨著其他零部件變得更加更多 +
