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二氧化碳激光的工業(yè)應用
二氧化碳激光器是目前連續(xù)輸出功率較高的一種激光，它發(fā)展較早，商業(yè)產(chǎn)品較為成熟，被廣泛應用到材料加工、醫(yī)療使用、軍事武器、環(huán)境量測等各個領域。在激光的發(fā)展和應用方面，CO2激光器的制作和應用較早也較多，早在1970年代末期，就有從國外直接進口CO2激光器，從事工業(yè)加工和醫(yī)療等應用。從80年代末期開始，CO2激光器被廣泛引進并應用在在材料加工領域。 近年來CO2激光加工設備雖然漸趨普及，但激光畢竟是一種新的工具，激光加工技術亦不同于傳統(tǒng)的加工方法，所以工業(yè)界在引進使用CO2激光器的過程中，曾經(jīng)遇到各種更多 +
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科學家發(fā)現(xiàn)可“吃”二氧化碳的新材料
美國研究人員最新開發(fā)出一種與大氣中二氧化碳發(fā)生反應后“生長”的復合材料，未來有望用作建筑材料或修復材料和防護涂料。 近日發(fā)表在美國《先進材料》雜志上的研究顯示，這種凝膠材料可以像植物一樣吸收二氧化碳后生長，因此可用來制成輕質板材，運送到建筑工地，接觸空氣和陽光后會變得堅硬起來，從而節(jié)省了能源和運輸成本，同時消耗了大氣中的二氧化碳。 論文共同作者、美國麻省理工學院化學工程學教授邁克爾·斯特拉諾說，此前生物界以外的固碳材料還不存在，而新材料只需要更多 +
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電子氣體國產(chǎn)化，為何難以實現(xiàn)？
廣義的“電子氣體”指電子工業(yè)生產(chǎn)中使用的氣體，是重要原材料之一；狹義的“電子氣體”特指半導體行業(yè)用的氣體。電子氣體在電子產(chǎn)品制程工藝中廣泛應用于薄膜、蝕刻、摻雜等工藝，被稱為半導體、平面顯示等材料的“糧食”和“源”。 在硅片制造廠，一個硅片需要兩到三個月的工藝流程，完成450道或更多的工藝步驟才能得到有各種電路圖案的芯片。這個過程包括外延、成膜、摻雜、蝕刻、清洗、封裝等諸多工序，需要的高純電子化學氣體及更多 +
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中秋、國慶雙節(jié)臨近，乙炔市場小幅上漲
隨著新技術、新成果的不斷涌現(xiàn)，近幾年特種氣體應用范圍越來越廣。在國民經(jīng)濟高速發(fā)展及下游行業(yè)的強勁需求下，我國特種氣體行業(yè)進入快速發(fā)展階段。然隨著產(chǎn)能的不斷釋放，近期原材料電石、無水氫氟酸的變化，也牽動著下游乙炔的神經(jīng)。 電石價格達到6年來最高水平，乙炔局部有上漲意向 據(jù)了解，電石價格進入8月份后開始上漲，至今1個多月時間上漲價格已超越去年價格最高點。目前電石價格達到了6年以來的最高水平，2018年至今同比去年同期增幅15.6%。此次價格出現(xiàn)連續(xù)上漲的主要原因是電石更多 +
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MO源—半導體產(chǎn)業(yè)鏈的源頭材料
MO源是什么？紐瑞德小編來告訴你！ MO源也就是高純金屬有機化合物，是現(xiàn)代化合物半導體產(chǎn)業(yè)的支撐源材料，是半導體照明(LED)產(chǎn)業(yè)鏈的源頭材料。從全球市場來看，MO源主要的應用領域是移動設備的背光源、液晶顯示器背光源、液晶大屏幕背光源、半導體激光器及航天高效太陽能電池等高端軍品技術領域、信號燈、汽車照明和半導體照明等光電子技術領域。 MO源種類繁多，在研究和生產(chǎn)中使用過的MO源超過70多種， MO源概念已超出金屬有機化合物的范圍，現(xiàn)在MO源的含義應是：凡在MOCVD外延技術中作為更多 +
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半導體行業(yè)發(fā)展迅猛，電子氣體迎來新機遇！
紐瑞德小編了解到，在9月13日召開的2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會上，中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長于燮康介紹，上半年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)收入2726.5億元，同比增長23.9%。其中，集成電路制造領域收入737.4億元，同比增長29.1%。 中科院微電子研究所所長表示，集成電路制造既可以帶動國產(chǎn)裝備和材料發(fā)展，又可以服務于集成電路設計企業(yè)，是集成電路產(chǎn)業(yè)的中樞環(huán)節(jié)。國內集成電路制造工藝已取得長足進步，65納米、40納米、28納米工藝相繼量產(chǎn)，14納米技術研發(fā)取得突破，特色工藝競爭力提高。&l更多 +
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六氟化硫做絕緣有什么缺點？
1、SF6雖然無毒，但密度大，不易稀釋和擴散，是一種窒息性物質，在故障泄漏時容易造成工作人員缺氧，中毒窒息。 2、SF6氣體在電場中產(chǎn)生電暈放電時會分解出來SOF2（氟化亞硫酰）、SO2F2（氟化硫酰）、S2F10（十氟化二硫）、SO2（二氧硫）、S2F2（氟化硫）、HF（氫氟酸）等近十種氣體。這些氟、硫化物氣體都有毒性，而且S2F10還具有劇毒性和腐蝕性。如對鋁合金、瓷絕緣子、玻璃環(huán)氧樹脂等絕緣材料，能損壞它們的結構；對人體及呼吸系統(tǒng)有強列的刺激和更多 +
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四氟化碳在微電子行業(yè)的應用
四氟化碳，又稱為四氟甲烷。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲烷、全氟化碳，也可以被視為一種無機化合物。所以在電子行業(yè)中制作線路板蝕刻過程中，需要使用四氟化碳。在蝕刻過程中，用四氟化碳將多余的銅皮腐蝕掉，附有油墨的電路上銅皮得以保留，之后再用四氟化碳進行清洗電路上的油墨再烘干，等工藝。 四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體，也可以廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗，太陽能電池的生產(chǎn)，鋁合金門窗制造、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控更多 +
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電子工業(yè)中如何正確選用高純氣體
隨著科學技術向高、精、尖發(fā)展，對各種原材料“純度”的要求開始越來越高。但是，高純氣體所能提供的數(shù)量通常總是較少的，同時，價格昂貴。因此，如何正確地恰如其分地提出對原料氣的純度要求，如何選用高純氣就成為一個值得討論的問題。 通常，人們常用百分濃度來轟示氣體的純度，即所謂用幾個“9”字的表示法。例如，某種氣體濃度為99．9％，表示含有0.1% 的雜質(即雜質含量為1000ppm)。按通常的概念，顯然，濃度為99.995％的氣體比99．99更多 +
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蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕更多 +
